反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的电子输运特性研究

用反应溅射法制备出高质量的无织构各向同性多晶四氧化三铁薄膜；研究这种非均匀磁性系统在磁场作用下的电子输运特性；探求磁电阻效应的物理机制及其与四氧化三铁自旋极化率的本质联系；阐明四氧化三铁薄膜的Hall效应及其物理机制；尝试通过技术途径（非本征）提高HMIG（half-metal in gap）结构的四氧化三铁薄膜的磁电阻效应的场灵敏度。四氧化三铁具有晶体结构简单，相结构稳定、比金属材料耐氧化、在10 nm以下仍能严格保持其化学配比和结构等优点；而且四氧化三铁的电阻率比较高，在给定的电流下能够获得较大的电压信号，因此在应用上可以降低器件尺寸，减小电极电阻的影响。本申请课题的研究可进一步丰富我们对四氧化三铁材料的了解与认识，推进四氧化三铁等半金属薄膜材料在磁电子学领域的广泛应用。