碲化锌多晶薄膜的反常电导现象及与金属接触特性的研究

基本信息
批准号:59672036
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:冯良桓
学科分类:
依托单位:四川大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:朱居木,郑家贵,曾家玉,蔡亚平,孙小松,黎兵
关键词:
多晶化合物半导体碲化锌电导率反常变化
结项摘要

按申请书提出的研究目标、研究内容和技术路线全面展开了研究工作。所取得结果的科学意义在于:将一些化合物半导体的反常电导行为解释为晶相及微结构对费米能级和晶界垫垒的影响,并为这类半导体的后处理技术提供了理论依据;特别注意研究了微结构及晶粒大小对能隙宽度的影响,对照周期性势阱的布洛赫定理和无序分布势阱的安德逊理论,提出了局域周期势阱能带结构的概念,用以建立多晶半导体的能带理论。本项目在应用研究上的成果也十分突出:所研制的高性能共沉积设备、所发展的铜掺杂碲化锌的沉积和后处理技术的转移到九五攻关项目(96-A17-03-02-03),使碲化镉太阳电池的效率大大提高,达11.6%。这表明本项成果有很高的推广应用价值。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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