功率半导体器件的耐压层
基本信息
批准号：69836010
项目类别：重点项目
资助金额：130.00
负责人：陈星弼
学科分类：
依托单位：电子科技大学
批准年份：1998
结题年份：2002
起止时间：1999-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：王新,叶星宁,何进,曲文超,亢宝位,程序,吴郁,韩磊
关键词：
耐压层纵向功率器件横向功率器件
结项摘要
功率器件的重要参数之间是相互制约的，如导通压降与关断耐压层之间，导通压降与关断速度之间。要解决这些矛盾的唯一方法是发明新的耐压层结构。陈星弼发明了新的纵向及横向耐压层结构，这对功率器件的发展会有重要影响。本项目是利用其发明，研制出综合性能指标更好的器件。使我国功率器件及其集成电路在一个新起点上发展。.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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