IV-VI族半导体纳米晶体的合成、表征与性质研究

半导体纳米晶体的性质不仅与尺寸有关，表现在半导体的能带宽度随尺寸减小而增大，即量子限域效应；而且与形状有关，如偏振发光特性。这为纳米尺寸固体的新的基本性质的研究以及新型超小尺寸器件的研制提供了机会。利用金属有机单体在配位有机溶剂中的热裂解反应是已知的合成高质量的半导体纳米晶体的最有效的方法；用此方法合成的CdSe, InAs、PbSe 等纳米晶(量子点)已显示了在荧光生物标记，激光材料，及发光二极管等领域的应用前景。IV-VI族半导体化合物是窄能带、强限域半导体材料,具有重要的基础与应用研究价值。本课题旨在深入研究该族半导体纳米晶体的合成与形状控制,以及尺寸、形状与性质的关系，并研究高压对半导体纳米晶的结构与性质的影响。为其在光电子领域的应用提供基础。