磁性多层纳米结构中自旋相关输运问题理论研究

基于电子自旋自由度的自旋电子学器件有望成为下一代高速度、高密度、高容量、低功耗、多功能以及高度集成的微电子器件，将对未来信息处理、储存和传输技术产生不可估量的作用，对自旋电子学相关理论问题的研究无疑具有重要的科学意义。本研究项目将针对自旋电子学领域中的基本问题，从理论上探讨磁性多层纳米结构中的自旋相关输运问题，研究在外界因素的作用下几种典型磁性多层纳米结构（如二端口或多端口铁磁/超导、铁磁/非费米金属、磁性半导体/金属或绝缘体等异质结构）中的电子输运和自旋输运特性，弄清其一般规律性，为自旋电子学器件的制备提供必要的理论基础。