薄膜高频磁阻抗效应传感技术研究

基本信息
批准号:69574012
项目类别:面上项目
资助金额:9.00
负责人:陈善宝
学科分类:
依托单位:华中科技大学
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:谭立国,戴道文,张志强
关键词:
高灵敏度传感技术软磁薄膜高频磁阻抗
结项摘要

通过分析与试验研究,确定用Ni81Fe19材料作为高频磁阻抗效应用软磁薄膜材料。选用Ni-Fe合金靶进行磁控射频溅射,同时研究了Ar气压、偏压、基片温度、溅射功率对磁性能的影响,制备出性能好的Ni-Fe软磁薄膜。为了使软磁薄膜具有一定的单轴各向异性,对定向磁场的方法、磁路结构进行了精心设计。除了设计磁阻抗的高频测量系统外,还对磁性薄膜图形进行了设计研究平面退磁场的影响,磁膜图形的制备采用了离子刻蚀(干法)和FeCl3溶液法,二者都能得到良好的效果,软磁薄膜的磁导率在交变磁场作用时呈复数磁导率,如果高频磁场频率低到数百MHz,虽有畴壁存在,但若材料有单轴各向异性,仍可能产生磁共振。在谐振附近,其电感和品质因数的变化,在常温下便能检测很小的被测磁场的变化,而且没有噪声。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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