高密度毫米波单片集成电路的封装效应及其物理表征

以宏观电磁场理论为基础，建立适宜的数学物理模型，应用时域数值模拟方法和TDR测量技跸嘟岷希氐阊芯浚憾嗖愣颜煌咂侥？榻峁沟姆庾靶в?包括同步开关噪声的起源及抑制措施)；信号在MCM互连线中的传输特性；芯片倒置封装对互连结构的作用和要求；有源器件和电路的电磁相互作用。为毫米波单片集成电路的模块化设计提供理论依据。