GaP/InP能带混合量子阱和异质谷间转移电子器件研究

建立了能带混合量子阱的多能谷隧穿理论。编写在X电子注入下多能谷电子运动的蒙脱卡洛模拟软件。模拟设计出新的电场弛豫振荡模式。消除了耿氏振荡中的死区和强场畴渡越，显著提高了器件的输出功率 和振荡效率。制成8毫米波段大功率高效发射器件，通过企军标考核和信息部鉴定，用于弹载雷达发射源。深入研究了量子阱控制极对器件振荡和放大性能的控制，从理论模拟与实验结果的对比中证实了异质谷间转移电子效应。理论模拟还发现新的触发多电子束弛豫振荡模式。它显著提高了振荡效率，而且振荡频率不依赖于有源层长度，实现了体振荡。研究了磷化镓/磷化铟能带混合量子阱，生长了异质结材料，用腐蚀终止层制成无衬底管芯。研究了新器件的特性。