Drift Step Recovery Diode (DSRD) is a kind of specific designed semiconductor diode, which can be applied to generate a super-fast pulse power with nanosecond-range front edge and MW-range pulse power by its fast opening reversed current switch character. The advanced technology has a broad application prospect in the fields of particle accelerator, radar detection, communication technology, environmental protection and material science etc. with advantages of all solid-state, high pulse repetition rate, low jitter, long lifetime, low storage voltage and small size etc..In this project, we would propose a few key technique problems to be overcome for the future advanced accelerators,then study on the theory of DSRD device operation deep inside, research on circuit topologies of DSRD-based super-fast pulsed modulator and fast pulse power superposing technologies and finally, develop a performance prototype of DSRD-based super-fast pulsed power supply with the pulse rise and fall time<2ns, flattop=5ns, pulse voltage=5-10kV into 50ohm load, pulse repeat rate>10kHz. By this research project, we could master DSRD-based Nanosecond-range super-fast pulsed modulator technology for the future advanced accelerator projects as International Linear Collider(ILC)、great Circular Electron Positron Collider(CEPC)、Diffraction Limited Storage Ring(DLSR)photon source and so on.
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是一种特殊设计的半导体二极管,可以利用它对反向电流快速关断的特性,产生纳秒级前沿MW级脉冲功率的超快脉冲信号。该先进技术具有全固态、重复频率高、抖动小、寿命长、储能电压低、体积小等优点,在粒子加速器、雷达探测、通信技术、环境保护和材料科学等领域都具有广阔的应用前景。本研究项目,从未来先进加速器有待解决的关键技术问题出发,在深入研究DSRD器件工作机理的基础上,探讨基于DSRD断路开关的超快脉冲调制器电路拓扑结构,快脉冲功率叠加等技术问题,并试制一台基于DSRD开关的超快脉冲电源性能样机:脉冲上升/下降时间<2ns,脉冲平顶=2-5ns,脉冲电压=5-15kV,负载=50Ω,脉冲重复频率>10kHz。通过本项目研究,基本掌握基于DSRD的纳秒级超快脉冲调制器技术,为将来可能建造的先进加速器工程做技术储备,如:国际直线对撞机、大型的环型对撞机、衍射极限先进光源等。
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)是一种特殊设计的半导体二极管,可以利用它快速关断反向电流的特性,产生纳秒级前沿MW级脉冲功率的超快脉冲信号。该先进技术具有全固态、重复频率高、抖动小、寿命长、储能电压低、体积小等优点,在粒子加速器、雷达探测、通信技术、环境保护和材料科学等领域都具有广阔的应用前景。本研究项目,从未来先进加速器有待解决的关键技术问题出发,在深入研究DSRD器件工作机理的基础上,探讨基于DSRD断路开关的超快脉冲调制器电路拓扑结构,快脉冲功率叠加等技术问题,并研制了一台基于DSRD开关的超快脉冲电源性能样机:脉冲上升/下降时间<2.6ns/3.2ns,脉冲底宽=10-15ns,脉冲电压=±18kV,负载=50Ω,脉冲重复频率>10kHz。通过本项目研究,已掌握基于DSRD的纳秒级超快脉冲调制器技术,为将来可能建造的先进加速器工程做技术储备,如:国际直线对撞机、大型的环型对撞机、衍射极限先进光源、自由电子激光装置等。
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数据更新时间:2023-05-31
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