双重超晶格红外探测器的理论研究

采用包络函数方法对势垒区δ掺杂量子阱Ge0.3Si0.7/Si的电子能带结构及光学性质进行了计算，给出了δ与掺杂位置、浓度及量子阱的几何尺寸对电子能带结构及光学性质的影响。在推广R（→）P（→）方法的基础上建立了适用于计算复合量子阱（势阱区或势垒区分别由超晶格组成的量子阱）的理论方法，并对复合量子阱Ge0.3Si0.7/(Ge0.3Si0.7)m-(Si)m/Ge0.3Si0.7的电子能带结构进行了计算。上述研究为制作新型红外探测器作了理论上的探索。另外也用半经验的紧束缚方法计算了六角结构GaN的电子能带结构及光学性质，给出了体应变对α-GaN的电子能带结构及光学特性的影响。这一研究为今后制作紫外光器件提供了部分理论依据。整个项目共发表论文十二篇，基本完成予定计划。