非致冷InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研制

InAs/GaSb II型超晶格材料的带隙变化范围宽，做成的探测器波长可覆盖3－30μm，与HgCdTe探测器相比具有低的暗电流、高的工作温度和更好的空间均匀性。10μm工作波长的探测器在军事和民用方面有着广泛的应用。.为了获得非致冷10μm II型超晶格红外探测器我们开展下面的研究工作：.1. 计算机模拟获得10μm工作波长对应的不同InAs厚度和GaSb厚度及周期与禁带宽度和能带结构的关系, 研究InAs和GaSb层掺杂浓度、厚度等材料参数对载流子寿命、R0A和D*等的影响，优化材料的空间结构；.2. 用LP-MOCVD法生长优化的材料空间结构，借助AFM、TEM和HRXRD等仪器设备，开展生长超晶格最佳温度、生长速度和V/III比等工艺条件的研究，获得生长超晶格的最佳工艺条件；.3. 开展制作PIN II型超晶格红外探测器工艺的研究；.4. 由测试结果进一步优化材料和器件结构。