透明氧化物半导体薄膜晶体管及其驱动的ＯＬＥＤ全透明显示器件的研究
基本信息
批准号：60776040
项目类别：面上项目
资助金额：30.00
负责人：蒋雪茵
学科分类：
依托单位：上海大学
批准年份：2007
结题年份：2010
起止时间：2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：刘向,白钰,丁邦东,徐维,曹进,M·A·khan,委福祥,张浩,刘善鹏
关键词：
ZnOTFT开关比ZnO薄膜晶体管驱动的OLED全透明显示器件室温生长迁移率
结项摘要
薄膜晶体管是主动驱动平板显示的核心元件，当前用于驱动液晶的是非晶硅TFT，用于驱动OLED则需用多晶硅TFT，但它不透明，限制了开口率，对光灵敏，造成对TFT器件的干扰，且成本高，工艺复杂。新一代TFT将是以ZnO为主的氧化物，因其禁带宽，透明度高，不存在开口率问题。对光不灵敏，光干扰小，迁移率高，而且它是少有的能在低温工艺下在多种衬底下生成多晶的半导体，为柔性显示打下基础。本项目目标是研制成ZnO-TFT驱动的OLED全透明显示器件。主要研究内容有（1）用PECVD或溅射方法制成高介电常数，高击穿强度的栅绝缘层，降低TFT的阈值电压。（2）在常温下制备优质ZnO多晶薄膜，优化工艺使其达到等化学比，减少散射中心，增大迁移率和暗电阻.（3）研究弱微腔效应下的高效率，高光抽出率的OLED。通过界面修饰，栅电极,源，漏电极的pattern, 将ZnOTFT和OLED集成起来制成目标器件
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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