杂质对自旋轨道耦合体系自旋输运性质的影响

主要利用格林函数的方法研究III-V半导体材料中自旋轨道耦合的重空穴体系，当存在与自旋无关的短程杂质散射作用势时，在波恩近似下，考虑由于杂质的存在所引起的顶角修正项后，对于反常霍尔电导率以及自旋极化的影响。.本项目注重与实验条件接轨，计入杂质散射势的作用，对反常霍尔效应的产生机理进行基础理论性的探讨；同时，进一步讨论杂质对自旋极化率的影响，为自旋电子学中自旋电子器件高极化率的自旋产生与注入提供良好的理论基础。因此，本项目的研究内容具有基础理论探索和潜在经济效益的双重意义。