第二类(能带对准型)GaSb量子点微结构分析及其量子结构多样性形成机理的探索

针对GaSb/GaAs第二类能带对准型量子点,研究其在外延生长中表现出的结构和形态多样性，即研究以S-K模式自组装生长形成的GaSb量子点、量子杆和量子环在微观结构方面的性质。通过高分辨电镜和截面扫描隧道显微镜等微观结构表征、分析手段深入研究GaSb量子结构形成、退化和呈现多种结构形态的真实物理机制。探讨外延生长GaSb过程中的动力学过程和本底As的表面活性剂（Surfactant）和混入效应。本研究利用申请者在国外积累的大量样品和量子点物理基础，结合国家纳米科学中心纳米技术平台强的微观结构分析能力来进行GaSb纳米结构生长方面的应用基础研究，以此增强外延生长过程中表面、界面物理方面的认识。