利用同步辐射光电子能谱研究了稀土金属Sm和Gd分别与Si(100)和GaAs(100)及钝化的GaAs和GaP界面的电子结构,进一步研究了稀土Gd薄膜的氧化和少量的Gd对半导体GaAs表面氧化的催化作用。实验发现Sm在Si(100)2×1表面吸附时,经历了初始的原子聚集(θ<0.5ML),反应扩散(0.5ML<θ<4-6ML)和金属化Sm膜的形成三个阶段;对应的Sm表现为变价行为,初始吸附表现为Sm(2+),在高覆盖度下,表现为Sm(2+)和Sm(3+)共存。Sm在GaAs(100)表面的吸附表明,Sm/GaAs的界面作用很弱,随着增加Sm的覆盖度,Sm与衬底的Ga发生置换反应,形成Sm-As键保留在Sm/GaAs界面处,少量被置换的金属Ga原子溶解在金属化的Sm膜中,并偏析在Sm膜表面。稀土金属Gd薄膜的氧化研究表明,它很容易形成稳定的Gd2O3氧化物薄膜,正是由于薄膜Gd2O3的形成,阻止了Gd薄膜的一步深度氧化;实验还发现少量的稀土Gd原子可以促进GaAs衬底的深度氧化,体现了Gd对GaAs氧化的催化作用。
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
页岩抗张力学行为各向异性实验与理论研究
清洁高效干法选煤研究进展与展望
A Fast Algorithm for Computing Dominance Classes
基于Lambert-Beer理论与人工神经网络的混合荧光粉发射光谱预测
多元铜基硫族半导体纳米晶的发光性能及其在电致发光器件中的应用进展
利用同步辐射研究碱金属和半导体界面的电子结构
同步辐射光电子能谱研究低温下的金属/半导体界面
同步辐射共振发射-吸收方法研究有机半导体-金属界面电子传输动力学
有机/氧化物异质界面电子结构的同步辐射谱学研究