同步辐射光电子能谱研究低温下的金属/半导体界面

基本信息
批准号:19774050
项目类别:面上项目
资助金额:12.00
负责人:赵特秀
学科分类:
依托单位:中国科学技术大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:刘洪图,王晓平,刘磁辉,段毅伟,陈备,林罡
关键词:
金属半导体界面同步辐射光电子能谱
结项摘要

本课题主要研究了碱金属在III-V族半导体表面的吸附及界面反应,重点是:界面能带弯曲及费米能级的钉扎;界面处元素芯能级的化学位移及原子键合状态;以及碱金属对半导体氧化反应和氮化反应的催化作用。实验结果表明;在氧化过程中,碱金属一直维系于表面,而氧则渗入碱金属半导体界面,打断了原有的碱金属与衬底的弱键合,形成稳定的半导体氧化物;催化氧化的效果与碱金属原子在衬底上的吸附键合状态有关。研究结果还表明,表面或界面缺陷介入了界面反应,在催化过程中起了重要作用。关于碱金属和元素半导体的键合作用,本课题认为:碱金属的一个价电子部分地填充了半导体的表面悬挂键,在禁带中形成了一个半满的表面态带。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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