SiC是性能优异的宽带隙半导体材料。它在微电子和光电子等领域的应用前景巨大。鉴于微管是目前限制SiC应用的最重要缺陷,本项目拟对PVT法SiC单晶生长过程中籽晶在升温中发生碳化、SiC粉料发生石墨化、生长温度、温度梯度和汽相过饱和度影响微管形成的规律进行研究,分析不同条件下生长螺旋台阶之间交互作用与微管形成之间关系,探讨微管形成、分解和闭合的机制,寻找影响微管形成的关键因素,获得降低微管密度的有效
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数据更新时间:2023-05-31
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
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基于速变LOS的无人船反步自适应路径跟踪控制
多层采空积水区瞬变电磁响应研究
掺杂SiC单晶生长和物性研究
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助熔剂法生长AlN单晶研究