PVT法SiC单晶生长过程中微管形成机制研究
基本信息
批准号：50302014
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：8.00
负责人：李河清
学科分类：
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：倪代秦,贾连锁,简基康,胡伯清
关键词：
物理汽相传输法微管碳化硅
结项摘要
SiC是性能优异的宽带隙半导体材料。它在微电子和光电子等领域的应用前景巨大。鉴于微管是目前限制SiC应用的最重要缺陷，本项目拟对PVT法SiC单晶生长过程中籽晶在升温中发生碳化、SiC粉料发生石墨化、生长温度、温度梯度和汽相过饱和度影响微管形成的规律进行研究，分析不同条件下生长螺旋台阶之间交互作用与微管形成之间关系，探讨微管形成、分解和闭合的机制，寻找影响微管形成的关键因素，获得降低微管密度的有效
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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