升华法生长氮化铝单晶

AlN单晶的热导率大，晶格与GaN失配度小，是大功率GaN器件的理想衬底。利用AlN单晶为衬底材料有利于提高GaN器件的性能。.本研究拟采用升华法，通过自发成核获得AlN籽晶。在此基础上，研究生长过程中生长参数如：籽晶温度、生长室压力、籽晶- - 源温度梯度对AlN晶体生长速度的影响；研究不同坩埚材料对AlN单晶纯度和结晶质量的影响；采用光学显微术、扫描电镜、AFM、高分辨X射线衍射术结合同步辐射形貌术评价AlN单晶的结构完整性，研究AlN单晶中的缺陷如：小角晶界、孪晶、位错的形成机理，以及它们之间的相互作用、产生和湮没规律。以此为基础，优化生长工艺，最终获得尺寸大于10mm,具有高结构完整性的AlN单晶。并完成AlN单晶的加工工作。