硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究

利用金属有机物汽相外延(MOCVD)方法，在硅衬底上生长无应变InGaAlN/GaN，InGaAlN/InGaN,InGaN/AlGaN以及AlInGaN/AlInGaN量子阱结构。通过光荧光谱，瞬态光致发光谱及变温霍尔等测试手段对其发光性质和电学性质进行研究。建立应变状态对上述量子阱结构的光电性质的影响的模型，实现GaN基材料能带裁剪，并试制高亮度的紫外（波长340nm以下）发光二极管（LED）。由此可以克服蓝宝石衬底所带来的LED成本高、量子阱内的应变导致LED的发光效率仍然偏低的弊端，以期探索出低成本、高效率GaN-LED的制备方法和生产工艺，为实现白光LED用于照明奠定基础。