掺杂半导体低维结构和碳纳米管量子特性的预测与调控研究

基本信息
批准号:10374057
项目类别:面上项目
资助金额:25.00
负责人:朱嘉麟
学科分类:
依托单位:清华大学
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:熊家炯,楚卫东,潘晖,宋海峰,戴振生,胡硕,杨宁,赵楠,许冬
关键词:
碳纳米管半导体掺杂量子点量子环光电性质。
结项摘要

以量子阱,量子线,量子点为代表的低维结构,由于其中至少有一个维度的尺寸小至纳米量级,从而表现出明显的量子特性。这类结构具有丰富的物理内涵,其中新现象、新效应层出不穷;特别是复合和掺杂低维结构具有复杂多变的量子特性和潜在的应用前景。本项目以量子点、量子环、碳纳米管等低维纳米结构为对象,研究它们的电子结构及电子-电子和电子-空穴等少体相互作用,特别是掺杂对其量子特性及光学和输运性质的调制作用。通过建立物理模型和发展有效计算方法,揭示掺杂和外场在上述低维纳米结构中引起的新的量子特性及其被调控的可行性,为新型低维量子结构和器件提供新概念和新机制的理论基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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