金属纳米天线与半导体低维结构的量子调控

基本信息
批准号:10874134
项目类别:面上项目
资助金额:48.00
负责人:王取泉
学科分类:
依托单位:武汉大学
批准年份:2008
结题年份:2011
起止时间:2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王取泉,郝中华,喻学锋,周利,程木田,刘绍鼎,肖思,龚红梅
关键词:
金属纳米天线量子调控半导体量子点表面等离子体
结项摘要

对于纳米光发射体系的量子态的调控以及金属纳米结构的表面等离子增强效应是物理学前沿研究课题。而对于金属纳米结构中表面等离子体与半导体量子点为代表的量子光发射体的耦合相互作用能量转移的研究具有及其重要的科学研究意义和实际应用价值。.本申请项目根据申请人多年的工作积累在理论和实验上深入探讨利用金属纳米天线对半导体量子点进行量子调控。在理论上分别用经典电磁场和量子化电磁场的方法研究表面等离子体与量子体系的相互作用(包括对量子点的辐射速率、非辐射速率和Rabi频率等参量的调制以及对金属表面等离子体的放大等研究内容)。在实验上,采用ps/fs超快激光脉冲对金属纳米天线和量子发射体复合体系的量子态进行有效操控和探测。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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