有机半导体薄膜制备及其性质研究

有机半导体生长机理以及相关物性的研究由于有机半导体器件潜在的应用前景而成为近期的重要研究课题之一,最近的研究显示有机分子的取向以及长程有序等与有机半导体薄膜的光、电等性质密切相关。本课题选择典型的金属单晶表面和有机半导体构成模型体系，在超高真空系统中，用扫描隧道显微镜和低能电子衍射，注重有机半导体生长的初期过程，从微观尺度上探索有机半导体在金属表面上的生长机理和有序薄膜制备的可能性。同时，在有机半导体生长过程的各个层面上，利用光电子谱原位进行相关电子态结构的分析。在分析实验数据的基础上，建立必要的模型进行理论模型研究。通过上述研究，以期对有机半导体的有序生长微观机理以及有序薄膜的制备和电子性质等有深入的认识，得出对有机半导体器件应用有指导意义的结果。