有机半导体生长及其相关性质

有机半导体在金属表面上的生长机理和相关性质研究基于有机半导体器件在电子学方面的潜在应用而具有重要意义。最近的研究显示有机分子的取向以及长程有序等和有机半导体膜的光、电等性质密切相关。本课题选择典型的金属单晶表面和具有高对称性的有机分子构成模型体系，在超高真空系统中，用扫描隧道显微镜和低能电子衍射，注重有机半导体生长的初期过程，从原子尺度上探索有机半导体的生长机理和在金属表面上形成有序超薄膜的可能性。同时，在有机半导体生长过程的各个层面上，利用光电子谱原位进行相关电子态结构的分析。在分析实验数据的基础上，建立必要的模型进行理论模型研究。通过上述研究，以期对有机半导体在金属表面上生长的微观机理，有机超薄膜的制备，和电子性质等有深入的认识，得出一些对有机半导体器在电子学方面的应用具有指导意义的结果。