InP基RTD/HBT量子单片微波集成电路关键技术研究

本项目主要研究基于集成磷化铟（InP）异质结晶体管（HBT）和共振隧道二极管(RTD)结构的单片微波集成电路（MMIC）。采用器件模拟软件Medici模拟研究集成在InP衬底上的RTD和HBT器件，找到一种既能提高二者器件的电学性能，又能便于工艺实现集成的外延层结构；再从理论上分析器件层结构参数变化对RTD和HBT器件电学特性的影响，优化器件结构设计。同时，利用气态源分子束（GSMBE）工艺生长出该结构，探索新结构的生长机理。采用半导体微细加工技术实现RTD和HBT器件以及无源器件的单片集成，并提取出器件模型参数，嵌入到集成电路设计软件HP-ADS软件，模拟设计和实现RTD/HBT微波单片集成压控振荡器（VCO），达到改善电路相位噪声，提高线性度，减少芯片面积，降低功耗的目的，从而提高毫米波芯片集成收发系统性能。