硅量子点的溅射自组装研究

基本信息
批准号:50672065
项目类别:面上项目
资助金额:29.00
负责人:杜希文
学科分类:
依托单位:天津大学
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:鲁颖炜,傅英松,赵兴,韩学,刘丽赟,李浩,宋云峰,李静静
关键词:
自组装应变场量子点溅射
结项摘要

获得尺寸细小、均一、有序分布的硅量子点,是硅基纳米材料走向工业应用的关键,也是目前研究的难点。本项目提出一种制备有序分布的硅量子点的新思路,即通过反应溅射实现硅量子点的三维自组装。在理论方面,研究材料体系、表面能、界面能、应变场等对于硅量子点有序分布的作用,确定自组装的热力学驱动力;研究溅射速率、衬底温度、基体和量子点的相对含量等对岛状生长和量子点的分布的影响,阐明自组装的动力学机制。通过理论研究,找出控制硅量子点三维自组装的关键因素。在实验方面,从制备首层量子点开始,重点研究溅射工艺和应变场对量子点的有序分布的作用,最终制备出尺寸均一、三维有序的量子点。本项目的探索将有助于建立硅量子点的自组装理论、加快硅基纳米材料的实用化进程。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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