W-Re-Os三元合金膜提高钡钨阴极电子发射的机理研究
基本信息
批准号：60871053
项目类别：面上项目
资助金额：39.00
负责人：阴生毅
学科分类：
依托单位：中国科学院空天信息创新研究院
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张洪来,高汉超,王宇,朱虹,孟鸣凤
关键词：
WReOs薄膜吸附浸渍钡钨阴极机理
结项摘要
为提高覆膜浸渍钡钨阴极的电子发射能力，在阴极表面沉积三元贵金属合金薄膜是国际上极具潜力的发展方向。我们提出并制备了5W-3Re-2Os的三元贵金属合金膜，使阴极电子发射能力达到国际同类阴极的领先水平。然而，对于三元合金膜提高阴极电子发射的机理，国际上尚无相关的报道。基于阴极电子发射与阴极表面盈余Ba、Ba/O原子层化学计量比及成键状态等密切相关，本项目拟从研究合金膜对Ba/O原子层的吸附规律入手，深入开展发射机理研究。研究内容包括：以5W-3Re-2Os三元合金膜为主要研究对象，研究薄膜表面温度变化导致吸附Ba/O层化学计量比、厚度及化学价态改变的过程；研究覆膜试样电子发射性能随吸附条件改变而产生变化的规律；结合热电子发射理论，开展三元合金膜改善阴极电子发射能力的微观机理研究。本项目研究工作，有助于从微观层面了解覆膜阴极电子发射的本质，对研制具有自主知识产权的的高性能阴极具有指导作用。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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