压力下半导体异质结构中电子-声子相互作用及相关问题

研究压力下半导体（含三元混晶参与构成的）异质结构中声子的特征，导出相应的电子--声子哈密顿量。计及各光学声子模的作用讨论体系中极化子、杂质态、激子等相关问题，并考虑外场、屏蔽效应等影响。以期预言和解释新物理现象，推动本领域实验和理论发展，有利于深入认识微观世界和新电子器件的研制。是既有理论意义又有较强应用背景的研究工作。