压力下电子-声子相互作用对半导体异质结构中电子输运性质的影响

从理论上研究流体静力学压力条件下电子-体纵光学声子、电子-界面光学声子相互作用对半导体异质结构材料（如：异质结，量子阱）中电子的散射，对电子在平行界面方向输运特性的影响。讨论压力对界面有限势垒、材料的介电常数、各支声子、电子有效质量、界面应变（对应变异质结构材料）等物理参数的调制作用及其对电子迁移率的影响。在光学声子起主要散射作用的温度范围内，获得电子迁移率随载流子浓度、压力的变化特性和三元混晶效应。以期深入认识异质结构材料中电子的量子受限对其行为的影响。预言和解释新物理现象，推动本领域的实验和理论发展，指导新材料的探索和器件研制，是既有理论意义又有较强应用背景的研究工作。