掺钼氧化铟高价态差透明导电薄膜的开发与研究

研究直流磁控溅射法制备具有良好结晶性、高载流子迁移率和高电导率的掺钼氧化铟（IMO）薄膜的条件，确定载流子浓度及其迁移率对掺钼含量、基板温度和溅射参数（溅射功率、真空度等）的依赖关系；分析研究IMO薄膜和ITO薄膜因掺杂金属离子价态差的不同，导致对载流子迁移率的影响，明确IMO薄膜具有高载流子迁移率的原因; 深入研究掺杂离子与晶格离子以及晶格间隙离子之间的相互作用规律，提出合理的模型，理论计算IMO薄膜的载流子迁移率。.开展这项工作对透明导电薄膜导电机理的研究有重要意义，即通过提高载流子迁移率而非通常提高载流子浓度的方法来提高薄膜电导率，是透明导电薄膜研究的一种新思路。"Thin Solid Films"杂志在一篇综述性论文评论2001年透明导电薄膜方面的工作中，专门提到了这项工作，认为IMO薄膜是透明导电薄膜的一种新材料，值得继续深入研究。