在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用
基本信息
批准号：60376011
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：陈治明
学科分类：
依托单位：西安理工大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：蒲红斌,封先锋,李留臣,靳瑞英,沃立明,吕政
关键词：
光控SiCGe异质结SiC功率器件
结项摘要
碳化硅器件可以兼顾频率与功率，并具有耐高温、抗辐照的特点，若令其实现光控，则更赋予其抗电磁干扰的能力，为国防和航空航天等高科技领域所急需。但碳化硅对可见光和近红外光无吸收，因而也就不能接受这些光源的直接控制。本项目在世界范围内首次提出利用硅碳锗合金（SiCGe）的能带可剪裁性，在碳化硅器件中采用SiC/SiCGe异质结，借以实现其开关动作的直接光控。本项目探索碳化硅直接光控器件的可行性和设计方法；
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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