SOI材料已成为大规模集成电路中不可或缺的重要材料。使用微波电子回旋共振方法提供单能的″纯净″的等离子体通过等离子体浸没离子注入硅片并结合低温等离子体氧化和键合进行真空退火剥离,从而得到SOI材料。本项目将研究注入离子成份能量剂量对微空腔的形成机理及受热聚集膨胀剥离机制,并为初步完成工艺制备SOI材料提供新方法。
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数据更新时间:2023-05-31
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