微波等离子体PIII剥离制备SOI机理研究
基本信息
批准号：19975014
项目类别：面上项目
资助金额：16.50
负责人：耿漫
学科分类：
依托单位：核工业西南物理研究院
批准年份：1999
结题年份：2002
起止时间：2000-01-01 - 2002-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：童洪辉,伍登学,关维恕,李鹏远,孙爱萍,许泽金
关键词：
SOI材料微波等离子体离子剥离
结项摘要
ＳＯＩ材料已成为大规模集成电路中不可或缺的重要材料。使用微波电子回旋共振方法提供单能的″纯净″的等离子体通过等离子体浸没离子注入硅片并结合低温等离子体氧化和键合进行真空退火剥离，从而得到ＳＯＩ材料。本项目将研究注入离子成份能量剂量对微空腔的形成机理及受热聚集膨胀剥离机制，并为初步完成工艺制备ＳＯＩ材料提供新方法。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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