非晶和纳米硅中非线性电荷放大效应研究

用光电灵敏度法测量了多种非晶结型样品的光增益特性。它同电场有规律的非线性关系，最大值超过10（3）。进行了条件和区分性实验，确定其导电机制为雪崩效应。由此建立了机理模型，测量和计算了电子和空穴的离化率，推导了电荷放大增益的计算公式。计算的击穿电压与测量值接近。制备了纳米硅薄膜二极管，由击穿电压的负温度系数，确定为隧道效应。这与非晶硅大不同，表明微晶粒的作用使其更近晶体性能。用八位动态真空试验系统，成功地进行了图象和电子轰击实验。非晶硅电子倍增器的加速电压比晶体硅低得多而增益很高，很有应用前景。还进行了提高太阳电池和纳米硅效率的原理性试验，尚待改进提高。发表论文8篇，获教育部科技进步三等奖1项。