稀土掺杂的Ⅲ族氮化物的合成与发光性能

稀土离子的发光跃迁受周围环境影响很小。以GaN为代表的Ⅲ族氮化物是重要的直接宽带隙半导体材料。稀土离子掺入到Ⅲ族氮化物中，即可利用稀土离子的发光特性，又具有Ⅲ族氮化物的优异性能。本申请探索稀土（以Tb, Eu, Er,和Tm为代表）掺杂的Ⅲ族氮化物材料（薄膜、一维纳米材料和体材料）的合成途径。利用热分析、X－射线衍射、电子显微技术(SEM和TEM)、振动光谱和发光光谱等手段，系统研究稀土离子的掺杂浓度、材料的微结构和发光性能的关系，以期获得新型的稀土掺杂的Ⅲ族氮化物半导体发光材料。