室温工作HSGFET型高灵敏O3传感器的研究
基本信息
批准号：69876023
项目类别：面上项目
资助金额：13.00
负责人：牛文成
学科分类：
依托单位：南开大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李德林,张福海,俞梅,孙学珠,陈兴梧,吴元生,刘衔庆,吴小晔,梅思滔
关键词：
HSGEFT气敏场效应功函数
结项摘要
利用气敏场效应和敏感膜与O3作用而引起的功函数变化，研究室温下对O3具有高灵敏响应的HSGFET(HybirdsuspendedgateFET)型O3传感器。重点研究不同敏感膜在O3和其它干扰气体中所引起的功函数变化，传感器空气隙厚度，工作模式等对其敏感性的影响，并给出实验结果与响应模型。为室温下ppb范围内的O3检测提供新型的探测器件。研究成果国内外未见ǖ肌?.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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