超导器件和电磁场的有限差分时域模拟

本研究进一步发展了超导器件和电路和理论，建立了强调分布参数和电磁场影响的统一器件模型。理论和模型是一个统一体的、具有广泛性的超导场效应电子学基础，它不仅适用于单栅型，而且适用于双栅场效应器件，它不仅适用结型，而且适用于MOS型场效应器件。将理论和模型与国际上代表性的实验相比较，所得结果取得了较好的定性一致性。这项研究具有重要的科学意义和潜在应用价值。研究论文在国内一级杂志（中国电子学报）和国际一级杂志（英国“Supcrcond.Sci.Tcchnol”和荷兰“Physics C”）发表以后很快地被《EI》和《SCI》分收录或同时收录。这些事实表明：我们在这一领域的研究的水平是处于国际水平。