二氧化硅膜中空穴陷阱

基本信息
批准号:68876118
项目类别:面上项目
资助金额:2.00
负责人:陆德仁
学科分类:
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份:1988
结题年份:1993
起止时间:1989-01-01 - 1993-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:叶树萍
关键词:
空穴陷阱二氧化硅正氧化物电荷
结项摘要

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项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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