二氧化硅膜中空穴陷阱
基本信息
批准号：68876118
项目类别：面上项目
资助金额：2.00
负责人：陆德仁
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：1988
结题年份：1993
起止时间：1989-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：叶树萍
关键词：
空穴陷阱二氧化硅正氧化物电荷
结项摘要
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项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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