表面缺陷对固体表面活性的影响

台阶是固体表面的最重要的缺陷之一。我们用第一原理方法，计算研究了铜和钯面上的单原子台附的乙炔活化的影响。我们的计算结果表明，铜面上的单原子台阶，对乙炔中的键长和反键轨道中的电子占有数，均无大的影响，是一种非活性台阶。而钯面上的单原子台阶，却是一种活性台阶。硅面上的单原子台阶，对氨分解同样是一种活性台阶。用我们发展的TTDMC方法计算表明，台阶对垂直方向的化学扩散系数有重大影响。国际上，我们首先用第一原理方法，运用TTDMC方法作计算模拟，对实际表面活性原子作了具体计算，对活性原子的微观机制作了更深入的探索，表明某些实际系统不适用于当前国际上的层层生长模型，而提出了我们的斥力模型。