微腔激光器机理和光学性能研究

基本信息
批准号:69377014
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:林世鸣
学科分类:
依托单位:中国科学院半导体研究所
批准年份:1993
结题年份:1995
起止时间:1994-01-01 - 1995-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:滕达,熊飞克,潘钟,黎健,陈志彪,芦秀玲
关键词:
超晶格量子阱微腔激光物理面发射激光器
结项摘要

微腔激光器具有极低的阈值、高密度集成和动态单纵模工作的特点,是光信息处理和光互连等不可缺少的光电子器件。本工作中,在理论方面证明合理地选择光栅形状和参数,可以提高微腔的选膜性能。发现由于微腔增强自发发射因子,微腔中自发发射产生的光子起主导作用,激射机制有别于普通的激光器。证明在脉码率为50Gbit/s时,微腔激光器仍具有良好的调制眼图,在10Gbit/s下其传输距离可达60公里。在实验研究方面改进了MBE外延生长工艺,采用选择氧化和选择腐蚀相结合的方法制作了器件,对器件阈值、发散角、高频等特性进行了测量和分析。GaAs微腔激光器的阈值为3.8mA,发散角<7.8度,脉冲上升沿为100PS;InGaAs微腔激光器的阈值为0.7mA。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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