不同化学计量比B-C系列薄膜的脉冲激光沉积与成分控制

基本信息
批准号:50772082
项目类别:面上项目
资助金额:32.00
负责人:张联盟
学科分类:
依托单位:武汉理工大学
批准年份:2007
结题年份:2010
起止时间:2008-01-01 - 2010-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:沈强,王传彬,李俊国,公衍生,章嵩,李君
关键词:
BC薄膜成分控制放电等离子烧结脉冲激光沉积化学计量比
结项摘要

项目以不同化学计量比B-C系列薄膜的最佳脉冲激光沉积工艺及其组成成分控制为研究目标,重点研究B-C陶瓷的放电等离子反应烧结,揭示原料配比、模具渗碳与B-C陶瓷中硼碳比之间的变化规律及其对B-C陶瓷物相、微观结构、纯度、致密度等的影响,实现B-C陶瓷成分的准确控制,制备出高纯、高致密、不同化学计量比的B-C系列陶瓷;研究B-C薄膜的脉冲激光沉积工艺,建立靶材中硼碳比、沉积工艺参数(激光能量密度、衬底温度、衬底-靶距、衬底与激光羽辉中心夹角等)与沉积B-C薄膜中硼碳比之间的定量关系,探讨沉积工艺参数以及后续退火对B-C薄膜物相、晶态、表面形貌、微观结构和纯度等的影响,获得结构完整、具有既定化学计量比的B-C系列薄膜,阐明其成膜机理和成分控制技术。预期成果将为国家点火装置所需的B-C薄壳类高增益靶丸的制备提供合理的沉积工艺和成膜理论依据。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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