新型无镉铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积技术的研究
基本信息
结项摘要
铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2 简称CIGS）薄膜是一种很有前途的半导体材料，非常适合制作薄膜太阳电池。CIGS薄膜太阳电池的缓冲层主要是采用化学水浴沉积法制备CdS薄膜，然后采用磁控溅射高阻氧化锌。中间的化学水浴工序不仅会影响太阳电池的生产效率，而且在沉积CdS缓冲层过程中会排放大量的含镉废液，影响生态环境。.本项目研究采用改进的等离子体增强化学气相沉积技术直接在p-CIGS衬底上连续沉积Zn(O,S)和i-ZnO缓冲层，来代替化学水浴制备CdS薄膜和磁控溅射高阻氧化锌缓冲层。其特点是在全真空下连续沉积无镉铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲层，样品不用离开真空系统，沉积过程中不排放任何有毒废液，能连续化、大面积、快速地制备出缓冲层，大大减少缓冲层的制备时间，非常有利连续化工业化生产，因此本研究的工艺路线具有非常重要的现实意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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