3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
基本信息
批准号：60606003
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：34.00
负责人：罗木昌
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2006
结题年份：2009
起止时间：2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：孙国胜,赵永梅,段垚,赵万顺,王雷,刘兴昉
关键词：
3CSiC异质外延微纳加工MOSFET
结项摘要
碳化硅是一种具有极其优异性能的宽禁带半导体材料，在碳化硅的所有多形体中，立方相的SiC(3C-SiC)具有最佳的电学性质，但是由于缺乏体单晶的衬底限制了这种材料在电子器件和传感器的进展。本项目旨在开发一种低缺陷密度的3C-SiC自支撑的衬底材料，其基本思想是首先对Si衬底进行预先微纳加工表面改性的方法以实现3C-SiC在Si衬底上异质外延生长，然后将Si衬底剥离形成3C-SiC自支撑衬底。为达到此
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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