新型团簇离子的形成及超硬簿膜成膜制备研究

我们自行设计和建设了一台即可利用磁控溅射产生一些金属、碳及其氮化物团簇，也可利用热蒸发的方法产生各种低熔点金属和半导体团簇设备，同时沉积室，我们增加了一个热蒸发源，可以蒸发一些绝缘体和半导体介质得到嵌埋团簇膜，此外，磁控溅射产生的团簇有三分之二为离化团簇，在溅射室到沉积室之间，可加0-30keV的加速电压。这样，利用该设备，我们开展了以下几方面的工作：（一）离化团簇束沉积（ICBD）合成氮化碳化合物β-C3N4薄膜的研究，以及荷能团簇的成膜及其结构性能的研究；（二）支撑团簇的制备、结构的研究；（三）嵌埋式团簇的制备、结构及光磁性能的研究，特别是半导体嵌埋团簇的光吸收性质、光学带隙与团簇尺寸的关系及量子受限效应。