稀磁半导体薄膜与温度有关的磁光效应研究

用MBE方法生长不同组份Cd1-xMnxTe、Zn1-xMnxTe以及Zn1-xNmxSe薄膜样品，用磁光法拉第光谱仪、椭圆偏振光谱仪及光致荧光谱仪并结合剥层技术研究其光学和磁光性质。着重研究了Mn(2+)的3d电子跃迁所引起的法拉第效应随着Mn的组份和温度的变化规律，提出用椭偏术、法拉第磁光测量术，以及光致荧光谱测量技术等光学方法，是无损检测Mn组份的新方法。从而对稀磁半导体中磁光性质的主要来源有更深认识。