GaAs、InP基功能楔型结构的材料工艺研究及其在新型光电子器件中的应用（延续）
基本信息
批准号：90601002
项目类别：重大研究计划
资助金额：30.00
负责人：任晓敏
学科分类：
依托单位：北京邮电大学
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：黄永清,黄辉,王琦,王文娟,崔海林,宋海兰,Zh·Alferov,V·G·Dubrovsk
关键词：
楔型微结构空气隙微结构光探测器
结项摘要
在圆满、超额、超指标完成了"GaAs、InP基功能楔型结构的材.料工艺研究及其在新型光电子器件中的应用"课题任务后，针对其中关键结构材料和工艺的进一步创新开展后续研究，包括：将楔型微结构拓展至弧型微结构；将楔型结构与InGaNAs新材料或InP.空气隙微结构有机结合制备新型光探测器；探索大面积的低温晶片键合工艺。带动集成光电子学的发展。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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