GaAs、InP基功能楔型结构材料工艺研究及在新型光电子器件中应用
基本信息
批准号：90201035
项目类别：重大研究计划
资助金额：120.00
负责人：任晓敏
学科分类：
依托单位：北京邮电大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈雪,黄辉,刘立义,张瑞康,王琦,周震,殷勇,肖文,陈昌华
关键词：
化学湿法刻蚀楔型结构光电探测器
结项摘要
本课题属世界前沿课题，所提出研究的利用选择性化学湿法刻蚀制备GsAs、InP基楔型结构的材料工艺研究，将在光电集成中发挥重要作用。并在此基础上，研制一镜斜置三镜腔光探测器，利用楔型结构实现了滤波与吸收功能的解耦，具有窄线宽、可调谐、高速和高灵敏度的特点。一经研制成功，将在密集波分复用通信领域中获得广泛的应用。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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