高性能有机场效应晶体管的基础研究及其应用探索

基本信息
批准号:60736004
项目类别:重点项目
资助金额:200.00
负责人:刘云圻
学科分类:
依托单位:中国科学院化学研究所
批准年份:2007
结题年份:2011
起止时间:2008-01-01 - 2011-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:于贵,李洪祥,高希珂,吕琨,杜春燕,吴卫平,郭云龙,石大川,张洪亮
关键词:
有机半导体材料纳米/分子电子学有机场效应晶体管
结项摘要

近年来,有机场效应晶体管在p-型半导体材料,单元器件和高迁移率等方面取得了长足地进展。目前该领越的主要科学问题是:综合性能优越的有机半导体材料的合成,重点是n-型材料;高性能单元器件的制备,重点是器件的稳定性;集成技术的探索,重点是溶液法技术,和具有应用前景的模型器件的制备等。本研究设计、合成新型综合性能优越的有机半导体材料;制备有机薄膜场效应晶体管和分子/纳米场效应晶体管;研究分子结构、凝聚态结构和场效应性能的关系;解决有机场效应晶体管集成的关键技术和制备具有应用前景的模型器件。从"综合性能优越的材料→高性能的单元器件→有效的集成技术→模型器件的制备"等方面对有机场效应晶体管进行综合研究,推动有机场效应晶体管的基础研究,并在基于有机场效应晶体管的射频标签/电子纸等模型的制备中的关键技术探索方面取得突破。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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