基于InGaAsP双模激光器腔内自混频效应产生太赫兹波研究

在太赫兹波空间通信与导航系统中，高稳定、小型化太赫兹波产生技术仍然是困扰研究人员的难题。我们拟采用InGaAsP高功率双模半导体激光器腔内光学自混频效应实现太赫兹波的产生。目标是完成具有结构紧凑、性能稳定、小型化且能够在室温下连续稳定工作、频率可调谐的太赫兹波产生源。设计高增益、高非线性效应和低太赫兹波吸收损耗的量子阱半导体材料，解决外腔自反馈激光腔中两个模式的功率平衡性和时间精确性，降低模式竞争噪声和提高转换效率等是本项目的关键。该项目的完成能进一步的拓展太赫兹波的应用领域，特别是在航天通信与航天导航领域中的应用，目前，在航天通信、航天雷达以及航天导航中，高稳定、小型化太赫兹源仍然是该领域急需解决的最关键的技术之一。