新型钼系离子导体的设计合成
基本信息
批准号：20271049
项目类别：面上项目
资助金额：25.00
负责人：孟健
学科分类：
依托单位：中国科学院长春应用化学研究所
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：李思温,杜红初,王红燕,魏平慧,冯静,薄其兵,王静平
关键词：
结构畸变缺陷化学离子导体
结项摘要
固体化合物中普遍存在的缺陷对材料的物理性质有重要作用。最外层具有自旋相反的对电子的原子被有空轨道的离子取代后将在结构中引入本征空位，这样的空位有较低的活化能，有利于氧离子的传导。利用缺陷对化合物重新设计结构单元，采用软化学与物理结合的方法组合合成有崎变结构的新型离子导体。研究空轨道与电子的相互作用，阐明离子导电的机理。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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