ICP等离子体中基片调谐自偏压特性及双稳态机理研究
基本信息
批准号：10175014
项目类别：面上项目
资助金额：23.00
负责人：丁振峰
学科分类：
依托单位：大连理工大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：郭宝海,张家良,刘续峰,候璐景
关键词：
双稳态感性耦合等离子体调调自偏压
结项摘要
利用外部调谐电路调切ICP等离子体的基片自偏压。研究不同放电参数、装置和电极位型下餍匙云沟奶匦裕扒筇岣吆涂刂苹餍匙云沟姆椒ǎ谎芯炕餍匙云顾取⒒刂拖窒螅剿髌浞窍咝曰砉獭Ｎ⒄挂痪叹哂蠭CP等离子体优点、高性能沈积用等离子体源技术奠定实验基础，并同时增加对射频等离子体物理及非线性现象的认识
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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