GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
基本信息
批准号：60006004
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：18.00
负责人：陈松岩
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2000
结题年份：2003
起止时间：2001-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：江炳熙,吴正云,陈丽蓉,蔡志华,陈小红
关键词：
直接键合光电集成探测器
结项摘要
本课题组自行设计适合光电集成工艺需要的高压低温键合反应室结构,用此来实现在Ga,As衬底上键合InP单晶材料和性能稳定的长波长PIN光电探测器,并确定满足光电集成的键合工艺,为实现光电集成接收器的研究提供新途径.本项目的完成将首次实现长波长光电探测器在GaAs衬底上键合,这为我国集成光电器件研究提供新的参考数据.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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